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标题: 多晶硅的技术要求 [打印本页]
作者: 强强    时间: 2011-5-17 22:38
标题: 多晶硅的技术要求
1.1.1　棒状、块状硅
太阳能级棒状、块状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。
表1
项目
太阳能级硅多晶等级
1级品
2级品
3级品
N型电阻率，Ω·cm
≥50
≥15
≥10
P型电阻率，Ω·cm
≥500
≥10
≥10
氧浓度，at/cm3
≤1.0×1017
≤1.0×1017
≤1.0×1017
碳浓度，at/cm3
≤2.5×1016
≤5.0×1016
≤5.0×1016
N型少数载流子寿命，μs
≥100
≥50
≥10
基体金属杂质，ppmw
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，
TMI≤0.05
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，
TMI≤0.5
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，TMI≤0.5
1.1.2　粉状多晶硅
粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表2的规定。
表2
项目
太阳能级硅多晶等级
1级品
2级品
P含量，ppma
≤0.0017
≤0.006
B含量，ppma
≤0.0005
≤0.027
氧浓度，at/cm3
≤1.0×1017
≤1.0×1017
碳浓度，at/cm3
≤2.5×1016
≤5.0×1016
基体金属杂质，ppmw
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，
TMI≤0.05
Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al，
TMI≤0.5
1.1.3　碳头料
碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。
作者: guwei0227    时间: 2011-5-18 07:49
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