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标题: I-V curve [打印本页]

作者: Beiyee 时间: 2009-6-18 16:08
标题: I-V curve
论坛好像很冷清啊呵呵发给话题大家讨论下
I-V 曲线可以说是组件生产中的指南针，组件的质量好坏，与问题所在都可以从I-V曲线上反映出来组件的内阻倒数是I-V曲线上某一点与原点连线的斜率值。
在这里想请教坛里的高手，
1、串联电阻和并联电阻在曲线上是如何反映的啊？
2、串联电阻和并联电阻在曲线上的物理意义如何解释？
3、电池片中的哪些参数会导致串联电阻和并联电阻的变化，具体如何变化?
谢谢啦！

作者: Beiyee 时间: 2009-7-1 10:59
伤心啊怎么这么久了也没人顶啊
大家知道的或者查到资料的希望顶顶贴啊
不知道的也捧个人场啊

作者: pandefang1 时间: 2009-7-14 19:51

力拓

作者: 283006625 时间: 2009-7-23 19:55
我们用的是博硕光电的测试仪
I-V曲线出来后，关键的参数都显示数据的
Rs是由材料体电阻、薄层电阻、电极接触电阻及电极本身传导电流的电阻所构成的总串联电阻，
Rsh是在pn结形成的不完全的部分所导致的漏电流，称为旁路电阻或漏电电阻

作者: 填充因子 时间: 2009-9-28 17:56
同样想知道：Rsh和Rs在组件的实际意义是什么。楼上讲的好像是电池的。

作者: solarthinfilm 时间: 2010-2-6 13:04
同样想知道：Rsh和Rs在组件的实际意义是什么。

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